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Item

Description

1

應用範圍:

研究半導體器件和半導體材料電學特性、精密測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等重要參數

2

規        格:

2-1

sample size:10mm x10mm----15mm x15mm

樣品尺寸: 10mm x10mm ---15mm x15mm (可定製)

2-2

Measurement Temperature: room temperature 、77K(option)

測試溫度: 室溫,可以選配77K低溫。

2-3

Measurement Material: Semiconductors material such as

   Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)

測試材質:半導體類材質、如：

     Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半導體薄膜(P型和N型)

2-4

Magnet Flux Density: 0.48 Tesla～1Tesla

磁場強度: 0.48 Tesla～1Tesla(根據不同應用所配置)

2-5

Magbnet Stability: ±2% over 1 years

穩定性: ±2% （超過一年）

2-6

Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center

均勻度：± 1%(20mm直徑圓範圍內)

2-7

Pole Gap: 20 mm

磁極間隙：20毫米

2-8

Output current:: 2nA~100mA

輸出電流：2nA~100mA

2-9

Input voltage range: 1μV  to 300V

輸入電壓範圍：1μV ~300V

2-10

Hall voltage range: 10uV to 2000mV

霍爾電壓範圍: 10uV to 2000mV

2-11

Resistivity (Ohm.cm): 10^-5 to 10⁷

電阻率 (Ω.㎝): 10^-5 to 10⁷

2-12

Mobility (cm²/Volt.sec): 1 ~ 10⁷

遷移率(cm²/Volt.sec): 1 ~ 10⁷

2-13

Carrier Density (cm^-3): 10⁷ ~ 10²¹

載流子濃度(1/cm³): 10⁷ ~ 10²¹