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III族氮化物半導體材料目前工業化制備是通過金屬有機物化學氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)來實現的。該技術的基本原理是通過在密閉化學反應腔中引入高純度的金屬有機源(MO源)和氨氣(NH3)，使其在加熱的襯底基板(一般選擇藍寶石做襯底)上生長出高質量的晶體。基本化學反應式是：Ga(CH3)3+NH3→GaN+CH4.通常GaN晶體是六方狀的纖鋅礦結構，基本的物理特性如表2所示。需要特別指出的有兩點：(1)GaN的能帶寬度在常溫300K時，等於3.39eV,是非常難得的寬禁帶半導體材料，如果發光，對應的光子波長應該是，

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