萬裕SAMXON電容

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最後上線︰2021/01/12

萬裕電解電容的絕緣層是由陽極氧化（化成）在鋁箔上形成鋁氧化物層，絕緣層厚度隨着化成電壓的增大而增大，其比率是1.2 nm/V。即使是很高耐壓的電解電容，其氧化層也不超過1 mm這樣可以節省電極空間。這是高容積率可以實現的一個原因（相比較而言，紙絕緣層的最小厚度為6 to 8 mm)。

在化成過程中，蝕刻鋁箔的細小凹陷由於化成電壓及蝕刻鋁箔的厚度不同而結殼厚度不同。由於這個效應，在鋁箔蝕刻時電容的工作電壓範圍必須予以考慮。氧化層的阻抗隨電壓變化而變化，這使得電流隨電壓的增加而很陡峭地增加。其特性如圖4所示。

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