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ME8313可以實現高平均效率、 可提供線損補償。可以輕鬆做到待機100mW內。

芯片的主要特點：
● 全電壓輸入，恆壓精度可控制±5%以內；
● 全電壓範圍內高精度恆流調節；
● 原邊控制內置MOS芯片；
● 逐週期電流限制;
● VDD低壓滯后閉鎖(UVLO)；
● 超低啟動電流（典型值 1uA）；
● 帶可調線損補償 ；
● 內置短路保護、VDD過壓保護；
● 內置初級繞組電感補償；
● 內置反饋迴路開路保護；
● 內置前沿消隱；
● 採用DIP-8封裝；

二、各腳的功能以及調試中注意事項：
1.VDD供電腳：
ME8313 的啟動電流低至1uA，可有效地減少系統啟動電路的損耗，減小待機功耗。啟動
閾值電壓13.6V 關斷閾值電壓7.6V，OVP電壓為30V。建議在調試計算中VCC輔助繞組電壓一
般設置在20V內， VCC電解推薦為10uF。
2. COMP腳：
線損補償腳，外接電容對地，推薦使用範圍0.1-1uF，DEMO板上使用的為0.22uF。
3.INV 反饋電壓輸入端：
INV反饋閾值電壓為2V。不管是恆流模式還是恆壓模式，都工作在斷續模式（DCM） 。為
了避免進入連續模式（CCM） ，在每個週期都采樣 FB 端下降沿波形，如果 0.1V的下降
沿電壓沒有被探測到，則強制關閉開關管。使之進入斷續模式。畫PCB時注意儘量遠離功
率地線。
該腳還有線損補償功能，FB外接電阻大（比例不變），輸出補償多，反之小。
4.CS原邊電流采樣端：
CS端是原邊電流采樣端，峰值電流預檢測閾值是580Mv。當MOS管打開時，過沖電流會產
生在采樣電阻上。為了避免開關誤操作，芯片內置了一個前沿消隱LEB時間，人為產生一
個 500ns 的空白期，使得MOS管不會被誤操作而關閉。CS腳的峰值電流檢測閾值為580mV。
這個腳不需要外接電容。
5.GND：
芯片的電源接地腳，畫PCB時注意與功率地分開布線。
6.DRAIN 腳：
ME8313內部集成一個600V/2A的高壓功率 MOSFET，該腳為內部高壓功率 MOSFET的漏極，
接變壓器初級。
三、其他的注意事項：
1）起動電阻阻值之和推薦是3-6M左右，阻值的大小取決于低壓時啟動時間和最低啟動電
壓和VCC電解決定。
2）初級峰值電流大小是由R6//R12的阻值來設置，均採用1%精度電阻。
3）輸出電壓的大小取決于FB的采樣電阻R8,R9來設置，均採用1%精度電阻。R8阻值大，
輸出電壓大，反之小。
4）輸出假負載可在0.008A電流左右，空載待機可以做到小於100m W。
5）電源初次調試啟動不良時，首先要檢查變壓器相位和繞組的計算是否正確，確認無誤
后檢查線路連接是否正確、PCB布線是后正確合理等。
6）采樣配比情況，當電源出現打嗝時，請檢查 FB采樣配比、VCC觸發欠壓或過壓所致，
調整FB電阻值或者變壓器匝比即可解決。