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IGBT 驅動核 1
  • IGBT 驅動核 1

IGBT 驅動核

型號:PSHI 0420
品牌:power-sem
原產地:中國
類別:電子、電力 / 電子元器件 / 集成電路
標籤︰IGBT驅動器 , IGBT驅動電路 , IGBT驅動板
單價: ¥150 / 件
最少訂量:1 件
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產品描述

●  基於ASIC 設計的單路IGBT 驅動器
●  為1200V 及1700V 全系列IGBT 設計
●  監測VCEsat 提供短路及過流保護
●  納米非晶變壓器隔離
●  電源欠壓保護(<12.5V 保護)
●  故障記憶
●  故障"軟關斷"
●  通過"動態軟關斷"抑制關斷尖峰
●  內置驅動用DC/DC 隔離電源
●  ±25A 峰值電流輸出
●  IGBT 門極驅動電壓+15V/-9V
●  650ns 信號轉換時間
●  110ns 故障信號返回時間
●  400ns 窄脈衝抑制消除射頻干擾
●  最高工作頻率100kHz
●  具備故障連鎖功能,低電平有效
●  原邊-付邊的空氣間隙距離42mm

極限參數(Ta=25

符號

含義

參數

單位

VS MAX.

原邊電源電壓最高值

+16

V

IS MAX.

原邊電源電流的最大值

300

mA

PDC/DC

DC/DC隔離電源輸出的總功率

4

W

Vin

最高PWM輸入電平

VS+0.5

V

ViH

最高邏輯信號輸入電壓

模式選擇、復位信號及外部故障

VS+0.5

V

IOC

最大邏輯信號輸出電流

集電極開路輸出電流

10

mA

IoutAV

每通道輸出的平均電流

120

mA

IoutPEAK

每通道輸出的峰值電流

±25

A

VCES

IGBT集電極-發射極電壓

1700

V

Visol IO

輸入輸出隔離電壓(10 sec. AC)

5000

V

RGon/off min

最小門極開通/關斷電阻

1

Ω

Qout/pulse

輸出電荷

±15

μC

dv/dt

電壓變化率

75

kV/μs

fSW max

最高工作頻率

100

kHz

Top

工作溫度

-40...+85

Tstg.

儲存溫度

-45...+85

 


電氣參數(Ta=25

符號

含義

單位

Min.

Typ.

Max.

推薦值

VS

原邊電源電壓

14.5

15

15.5

15

V

IS

原邊空載電流 fSW=0

fSW=20kHz

fSW=100kHz

 

80

100

130

 

 

mA

VIT+

輸入高電平門檻: 15V電平

5V電平

12

3.2

 

 

 

V

VIT-

輸入低電平門檻: 15V電平

5V電平

 

 

4.5

1.9

 

V

Rin

輸入阻抗

 

33k

 

 

Ω

VG(on)

門極開通電壓

 

+15

 

 

V

VG(off)

門極關斷電壓

 

-9

 

 

V

td(on)IO

開通信號輸入-輸出延時

 

650

 

 

ns

td(off)IO

關斷信號輸入-輸出延時

 

600

 

 

ns

td(err)

故障信號返回延時

VCE故障發生-錯誤信號輸出

 

110

 

 

ns

tmd

窄脈衝抑制

 

400

 

 

ns

VCEstat

VCE監測參考電壓

VCE電壓=1700V

VCE電壓=1200V

2

 

 

 

6.8

 

 

 

6.2

5.3

V

VLevel

邏輯電平

外部故障輸入; 復位信號; 模式選擇

 

+8

 

+15

V

tpReset

低電平自動復位時間

 

10

 

 

μs

CPS

一二次之間的分布電容

 

12

 

 

pf


該值可以通過針腳在外部適配板上自由擴充。

該值也是輸出最小錯誤信號的寬度。

 

●  單路或橋式電路
●  變頻器
●  電焊機
●  感應加熱
●  逆變器
●  大功率UPS
●  大功率高頻開關電源


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IGBT 驅動核 1
圖 1

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