HMDS預處理真空烘箱
一、HMDS 預處理系統的必要性：
在半導體生產工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節，塗膠質量直接影響到光刻的質量，塗膠工藝顯得更為重要。光刻塗膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗，同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS塗到硅片表面后，經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水，其疏水基可很好地與光刻膠結合，起着偶聯劑的作用。
二、產品特點：
1)設備外殼採用醫用級不鏽鋼316L不鏽鋼材質製作，內膽為不鏽鋼316L材料製成；採用C型不鏽鋼加熱管,均勻分布在內膽外壁，內膽內無任何電氣配件及易燃易爆裝置；採用鋼化、防彈雙層玻璃觀察窗,便於觀察工作室內物品實驗情況。
2)箱門閉合鬆緊能調節，整體成型的硅橡膠門封圈，確保箱內保持高真空度。
3) 採用微電腦PID控制,系統具有自動控溫,定時,超溫報警等,採用LCD液晶顯示,觸摸式按鈕,簡單易用,性能穩定.
4)智能化觸摸屏控制系統配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據不同製程條件改變程序、溫度、真空度及每一程序時間。
5)HMDS氣體密閉式自動吸取添加設計，使真空箱密封性能極好，確保HMDS氣體無外漏顧慮。
6)整個系統採用優質醫用級316L不鏽鋼材料製作，無發塵材料，適用百級光刻間淨化環境。
三、產品型號及參數：
型號：PVD-090-HMDS
容積：90L
控溫範圍：R.T.+10～250℃
溫度分辨率：0.1℃
控溫精度：±0.5℃
隔板數量：2PCS
真空度：<133Pa
真空泵：DM4
電源：AC220/50HZ
額定功率：3.0KW
內膽尺寸mm：寬450*深450*高450
外形尺寸mm：寬650*深640*高910
木箱包裝mm:寬840*深750*高1100
連接管：316不鏽鋼波紋管，將真空泵與真空箱完全密封無縫連接
四、PVD-090-HMDS系列預處理系統的原理：
PVD-090-HMDS預處理系統通過對烘箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數可以在硅片、基片表面均勻塗布一層HMDS，降低了HMDS處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。
五、PVD-090-HMDS系列預處理系統的一般工作流程：
首先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為：打開真空泵抽真空，待腔內真空度達到某一高真空度后，開始充入氮氣，充到某低真空度后，再次進行抽真空、充入氮氣的過程，到達設定的充入氮氣次數后，開始保持一段時間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然後再次開始抽真空，充入HMDS氣體，在到達設定時間后，停止充入HMDS藥液，進入保持階段，使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后，再次開始抽真空。充入氮氣，完成整個作業過程。HMDS與硅片反應機理如圖：首先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然後HMDS與表面的OH一反應，在硅片表面生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應。
六、尾氣排放：
多餘的HMDS蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。
七、產品操作控制系統平台配置:
1.採用DM4直聯旋片式真空泵
2.採用AISET溫控器控制溫度,日本三菱可編程觸摸屏操作模塊.
3.固態繼電器
以下三款型號HMDS真空烘箱參數
PVD-020-HMDS真空乾燥箱技術參數：
電源電壓：AC220V/50Hz
輸入功率：1500W
控溫範圍：室溫+10℃-250℃
溫度分辨率：0.1℃
溫度波動度：±0.5℃
真空度極限：<133Pa
容積：20L
內室尺寸（mm）：300*300*275
外形尺寸（mm）：465*465*725
載物托架：1塊
時間單位：分鐘
PVD-090-HMDS真空乾燥箱技術參數：
電源電壓：AC220V/50Hz
輸入功率：3000W
控溫範圍：室溫+10℃-250℃
溫度分辨率：0.1℃
溫度波動度：±0.5℃
真空度極限：<133Pa
容積：90L
內室尺寸（mm）：450*450*450
外形尺寸（mm）：650*640*910
載物托架：2塊
時間單位：分鐘
PVD-210-HMDS真空乾燥箱技術參數：
電源電壓：AC380V/50Hz
輸入功率：4000W
控溫範圍：室溫+10℃-250℃
溫度分辨率：0.1℃
溫度波動度：±0.5℃
真空度極限：<133Pa
容積：210L
內室尺寸（mm）：560*640*600
外形尺寸（mm）：720*820*1050
載物托架：3塊
時間單位：分鐘
