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POWER-SEM
Single IGBT Driver
1DI 825
單路大功率IGBT 驅動核
特點
●基於ASIC 設計的單路IGBT 驅動核
●為1200V 及1700V 全系列IGBT 設計
●監測VCEsat 提供短路及過流保護
●獨立監測每個IGBT 的VCEsat 提供保護(T 型)
●納米非晶變壓器隔離
●電源欠壓保護(<12.5V 保護)
●故障記憶
●故障“軟關斷”
●通過“動態軟關斷”抑制關斷尖峰
●內置驅動用DC/DC 隔離電源
● ±32A 峰值電流輸出
● IGBT 門極驅動電壓+15V/-9V
● 650ns 信號轉換時間
● 110ns 故障信號返回時間
● 400ns 窄脈衝抑制消除射頻干擾
●最高工作頻率100kHz
●具備故障同步功能，低電平有效
●原邊－付邊的空氣間隙距離42mm
應用
●單路或橋式電路
●變頻器
●電焊機
●感應加熱
●逆變器
●大功率UPS
●大功率高頻開關電源