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1）直流電弧等離子法CVD薄膜

採用化學氣象直流電弧等離子體噴射法(DC Arc Plasma Jet) 此法用直流弧光放電，在低氣壓條件下，CH、CH等含碳氣體經過高溫分解，在H+、OH等活化基因作用下，在固態襯底上沉積而成的純多晶結構金剛石。該法制備的CVD金剛石膜片，顏色為黃綠色，在燈光下呈半透明，為純金剛石，薄膜尺寸可達到直徑70mm。主要做修整工具用，按照磨耗比等級一般分為高中低單個等級，高級磨耗比80-100萬，中級磨耗比30-50萬，低級磨耗比20-30萬。

2）熱絲法CVD薄膜

利用高溫（2200℃左右）熱絲（鎢絲、鉭絲）將CH4H2混合氣體解理激發，得到大量反應粒子、原子、電子離子，反應粒子混合后並經歷一系列複雜化學反應到達基體表面，有吸附，有脫附進入氣相，有擴散到基體近表面徘徊至合適反應點，如條件適宜，則成為金剛石。熱絲化學氣相沉積（HFCVD）金剛石薄膜技術成本較低，設備簡單，而且易於大麵積生長，因此，該方法能夠生產出低成本的CVD金剛石薄膜。薄膜尺寸可達到直徑100mm以上，顏色為黑色，不透光。主要做修整工具用，磨耗比相比較上述直流電弧等離子法而言，在10-20萬左右，與低品級接近。