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單晶硅壓力變送器具有0.075%超高測量精度，100:1寬量程比，穩定性高、響應速度快、可靠性高，自帶HART通訊功能方便手操器調試，具有本質安全型、隔爆型、選配多種隔離膜片結構，多種過程連接標準，適用微壓、絕壓、負壓、高溫高壓、低溫和腐蝕條件的壓力測量。

一、單晶硅壓力變送器工作原理
利用單晶硅的壓阻效應而構成。採用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴散一組等值電阻，並將電阻接成橋路，單晶硅片置於傳感器腔內。當壓力發生變化時，單晶硅產生應變，使直接擴散在上面的應變電阻產生與被測壓力成比例的變化，再由橋式電路獲得相應的電壓輸出信號。

二、單晶硅壓力變送器技術參數
測量範圍
相對壓力：0～400Pa～35MPa
絕對壓力：0～1.75KPa～35MPa
信號輸出
4-20mA +HART通訊協議（兩線制）
測量精度
綜合誤差：0.1%（包括線性度、重複性、遲滯），特殊要求可定0.075%
長期穩定性
每年優于0.15%F.S
五年優于0.2%F.S
溫度範圍
允許介質溫度：（-40～120）℃
允許環境溫度：（-40～85）℃
允許儲存溫度：（-40～85）℃
溫度影響
相對於25℃：≤±0.4%標準量程
阻尼時間
0~40S連續可調
抗震動：2g 1000HZ ±0.05%g
抗衝擊：50g 11mesc
電磁兼容特性：符合IEC801標準
傳感器允許過壓：標準量程3倍壓力
零點最小報警電流範圍：3.8mA
滿度最大報警電流範圍：21mA
啟動時間：3S 無需預熱
與介質接觸部分材料

過程連接件：不鏽鋼316， 哈氏合金C

傳感器膜片：不鏽鋼316， 哈氏合金C
與介質非接觸部分材料
外殼： 壓鑄鋁帶環氧樹脂塗層
傳感器充灌液:硅油 厭氧油
現場顯示:液晶3 1/2精度數字式顯示器 液晶模擬條狀顯示器
防護等級:IP66
重量:約1Kg
防爆等級防爆型 Ex d ⅡC T5 ，本安型 Ex ia ⅡC T5
允許環境濕度:100%RH