| 型號： | PH852DBR |
|---|---|
| 品牌： | Photodigm |
| 原產地： | - |
| 類別： | 電子、電力 / 電子元器件 / 二極管、三極管 |
| 標籤︰ | 852nm激光管 , 銫原子 , 原子冷卻 |
| 單價： |
¥21580
/ 件
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| 最少訂量： | 1 件 |
| 最後上線︰2023/01/20 |
PH852DBR
852nm系列
高功率(280mW)、單頻輸出激光二極管
核心技術：
（1）DBR單頻激光芯片；（2）AlGaAs 量子阱有源層。
產品特點：
（1）高功率，單頻輸出；（2）激光線寬小於1MHz；（3）多種封裝形式；（4）無跳模調諧範圍寬；（5）使用壽命長；（6）可提供納秒或皮秒脈衝輸出。（7）調製頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
PH852DBR系列高功率激光二極管是基於Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它可以提供衍射極限且單縱模輸出的激光光束，主要應用於Cs原子光譜研究等領域。
852nmDBR激光二極管將光柵放置於激光有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的衝擊，能夠充分保証激光二極管的使用壽命和穩定性。另外，DBR激光二極管採用單步分子束外延生長而成，使生產成本更加低廉，並且保証了低內部損耗和高輸出功率。
技術參數：
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儲存溫度 |
0-80℃ |
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工作溫度 |
5.0-70℃ |
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正向電流（連續模式輸出） |
40-250mA(Typ) |
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正向電流（脈衝模式輸出），T=25℃ 脈衝寬度：300ns |
0.5A |
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激光反向電壓 |
0.0V |
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光電二極管正向電流 1/2/ |
5.0mA |
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光電二極管反向電壓 1/2/ |
20.0V |
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光電二極管暗電流，VR=10V，1/2/ |
50nA |
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TEC電流 1/2/ |
-2.0—2.0A |
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TEC電壓 1/2/ |
-1.9—1.9V |
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熱敏電阻電流 1/2/ |
1.0mA |
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熱敏電阻電壓 1/2/ |
10V |
連續模式輸出技術參數（T=25℃）
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中心波長 |
852.3nm(Typ.) |
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輸出功率 |
40-280mW |
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斜率效率（蝶形封裝） |
0.36W/A |
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斜率效率（TO-8封裝） |
0.72W/A |
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閾值電流 |
40mA |
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激光二極管電阻值 |
2.5Ω |
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正向電壓 |
2.0V |
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熱敏電阻阻值@25℃，1/2/ |
10KΩ |
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光電二極管暗電流，VR=10V，1/2/ |
50nA |
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激光線寬 |
0.5MHz |
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溫度調諧係數 |
27GHz/℃ |
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電流調諧係數 |
1.3GHz/mA |
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偏振消光比，1/ |
-19dB |
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光束髮散角@FWHM |
6x32° |
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邊模抑制比 |
-30dB（Min） |
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激光偏振 |
TE |
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模式結構 |
基模 |
1/蝶形封裝 2/TO-8封裝
注意事項：
此激光二極管是靜電敏感器件，操作時請注意接地保護和佩戴靜電手環。存儲時請將各管腳短接在一起並放入防靜電的容器內。
