型號: | 1000C |
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品牌: | 美高森美Microsemi |
原產地: | 美國 |
類別: | 電子、電力 / 電子元器件 / 其它電子元器件 |
標籤︰ | Microsemi , 1000C , 高穩晶振 |
單價: |
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最少訂量: | 1 件 |
最後上線︰2019/08/12 |
美高森美Microsemi(原Symmetricom)1000C超高性能晶體振盪器/超高穩BVA晶振
1000C是美國Microsemi(原Symmetricom公司)生產的一款超高性能晶體振盪器,通過採用業界最為先進的SC切割BVA晶體技術,實現了超低的相位噪聲、優異的短期穩定性和低老化率等特性。規格上所列的老化率指標在器件連續工作30天內即可達到,更長時間的加電操作,該指標會得到提升。多個使用該振盪器系列產品的用戶反饋,在連續加電操作數年之後,日老化率指標甚至低至1E-12。
通過採用杜瓦隔熱技術的恆溫槽,1000C在整個工作溫度範圍內均具有優異的溫度穩定性。在1000C的工作溫度範圍內,其受到溫度變化影響所產生的最大頻率改變<5.0E-9。此外,在1000C的電源連接器處還具有一個監測恆溫槽溫度變化的傳感器(監測靈敏度:10mV/℃)。1000C具有高性能和超高性能兩個版本。超高性能版本提供具有超低相位噪聲輸出的信號:-130dBc@1Hz、-160dBc@100KHz,穩定后短穩可以達到:2E-13(0.1s ~ 100s)。而高性能版本則提供低相噪的信號輸出:-120 dBc@1Hz、-160dBc@100KHz,穩定后短穩可以達到3E-13(0.1s ~ 100S)。
低噪聲、高隔離度的緩衝放大器提供4路獨立的5MHz輸出。緩衝放大器隔離信號輸出盡可能不受負載變化的影響。而內部的電壓調節器則使得電源紋波所引起的影響降至最低。
線性的電子頻率控制允許採用伺服循環技術來進行良好的頻率調整。在1000C的壓控調整範圍內,其調整線性優于5%。1000C超高性能晶體振盪器能夠滿足軍事和工業環境廣氾的應用需求。其可以被應用在高精度的頻率計數器和綜合器、GPS接收機、微波倍頻器、相位噪聲校準測試設備、2級通信應用、雷達和戰朮通信系統、安全通信系統、衛星地面終端以及航天飛行系統等。
主要特性:
低老化率:5E-11/天 (典型值)
低相噪:-130dBc@1Hz、-160 dBc@100Hz(超高性能版本)
4路5MHz輸出(獨立的緩衝門設計,隔離信號輸出)
短期穩定性:<2.0E-13(0.1s~100s,超高性能版本)
線性電子頻率控制
快速預熱:<2.0E-8(15分鐘內)
工作溫度範圍:0°C ~ 55°C
壓控輸入範圍:0V ~ 10V
壓控調整範圍:6.0E-7(典型值)
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