型號: | 2MBI2400U4-170 |
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品牌: | 富士 |
原產地: | 日本 |
類別: | 電子、電力 / 其它電力、電子 |
標籤︰ | FUJI , 富士IGBT |
單價: |
¥7556
/ 件
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最少訂量: | 2 件 |
最後上線︰2023/02/14 |
富士IGBT2MBI2400U4-170
特征
10µs短路耐受能力
高熱循環能力
非穿孔硅
帶有AlN基底的隔離AlSiC基底
無鉛結構
應用
高可靠性逆變器
電機控制器
牽引驅動
大功率模塊的電源線範圍包括半橋、斬波器、雙、單、雙向開關配置包括從1200V到6500V,電流高達2400A。DIM2400ESM17-A000是單開關1700V,n溝道增強模式,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)模塊。IGBT具有廣氾的反向偏置安全工作區(RBSOA)加10μs短路耐受。此設備針對牽引傳動和其他要求高熱循環能力。該模塊包含一個電氣隔離底座極板低電感結構使能電路設計師優化電路布局並利用安全接地散熱器。
絕對最大額定值
高于“絕對最大額定值”下所列的應力可能會對設備造成永久性損坏。在極端條件下,與所有半導體一樣,這可能包括潛在的危險包裝破裂。應始終遵循適當的安全預防措施。暴露于絕對最大評級可能會影響設備可靠性。
t除非另有說明,否則溫度=25°C
熱和機械額定值
內保溫材料:AlN
基板材料:AlSiC
距離:33mm
間隙:20mm
比較跟蹤指數:600
電氣特性
t除非另有說明,否則溫度=25°C
性能曲線
包裝詳細信息
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除非另有說明,所有尺寸單位均為mm。
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