型號: | 2MBI200U4-330 |
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品牌: | 富士 |
原產地: | 日本 |
類別: | 電子、電力 / 其它電力、電子 |
標籤︰ | 富士IGBT , 富士IGBT模塊 |
單價: |
¥3552
/ 件
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最少訂量: | 2 件 |
最後上線︰2023/02/14 |
2MBI200U4-330 富士IGBT模塊
特征
10µs短路耐受能力
高熱循環能力
高電流密度增強型DMOS SPT
帶有AlN基底的隔離AlSiC基底
應用
高可靠性逆變器
電機控制器
牽引輔助設備
切碎機
大功率模塊的電源線範圍包括
半橋、斬波器、雙、單、雙向
開關配置包括從1200V到
6500V,電流高達2400A。
DIM250PHM33-TS000為半橋式3300V,
軟穿孔n通道增強模式,
絕緣柵雙極晶體管斬波器
配置橋下臂的模塊
受約束的。IGBT具有寬的反向偏置安全性
操作區(RBSOA)。此設備針對
牽引傳動和其他要求高
熱循環能力。
該模塊包含一個電氣隔離底座
極板低電感結構使能電路
設計師優化電路布
絕對最大額定值
高于“絕對最大額定值”下所列的應力可能會對設備造成永久性損坏。在極端條件下,與所有半導體一樣,這可能包括潛在的危險包裝破裂。應始終遵循適當的安全預防措施。暴露于絕對最大評級可能會影響設備可靠性。
t除非另有說明,否則溫度=25°C
熱和機械額定值
內保溫材料:AlN
基板材料:AlSiC
爬電距離:33mm
間隙:20mm
CTI(比較跟蹤指數):>600
電氣特性
t除非另有說明,否則溫度=25°C
典型開關能量與集電極電流
包裝詳細信息
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除非另有說明,所有尺寸單位均為mm
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