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​  臥式6寸兩管退火爐供大規模集成電路、MEMS 生產線用做6"硅片的合金、氧化、退火、燒結、擴散等工藝使用。同時也可下沉工藝，完成4寸wafer 的相應工藝。
一、設備結構:
1、操作方式:左(右)手操作方式
2、硅片尺寸:圓形6寸片
3、工藝布局:滿足客戶工藝要求
4、自動化程度:工控機控制系統自動控制工藝流程
5、送取片方式:手動進出舟。
6、外形:主機1台，主機架為臥式兩管。
二、主要技術參數:
1、加熱爐管有效口徑:滿足6英吋硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。
2、工作溫度範圍:上管:600~1400℃
           下管:200~500℃
3、恆溫區長度及精度:600mm，
                  上管:800-1400℃.±0.2℃/24h
                  下管:200-500℃.±0.2℃/24h
4、控制方式:由工控機統一管理工藝
5、氣路設置:每管兩路氣體:氮氣100L/min.氬氣100L/min。均採用MFC自動控制流量大小。