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富士IGBT模塊1MBI1000U4-330

特征
10µs短路耐受能力
高熱循環能力
高電流密度增強型DMOS SPT
帶有AlN基底的隔離AlSiC基底
應用
高可靠性逆變器
電機控制器
牽引驅動
切碎機
大功率模塊的電源線範圍包括半橋、斬波器、雙、單、雙向開關配置包括從1200V到6500V，電流高達2400A。
DIM1000NSM33-TS000是一個單開關3300V，軟穿孔n通道增強模式，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊。這個
IGBT具有寬的反向偏置安全工作區（RBSOA）加上10μs短路耐受。這個該裝置針對牽引驅動和其他方面進行了優化
需要高熱循環能力的應用。該模塊包含一個電氣隔離底座極板低電感結構使能電路設計師優化電路布局並利用安全接地散熱器。
絕對最大額定值
高于“絕對最大額定值”下所列的應力可能會對設備造成永久性損坏。在極端條件下，與所有半導體一樣，這可能包括潛在的危險包裝破裂。應始終遵循適當的安全預防措施。暴露于絕對最大評級可能會影響設備可靠性。
t除非另有說明，否則溫度=25°C

熱和機械額定值
內保溫材料：AlN
基板材料：AlSiC
爬電距離：33mm
間隙：20mm
CTI（比較跟蹤指數）：>600

電氣特性
t除非另有說明，否則溫度=25°C

性能曲線

包裝詳細信息
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除非另有說明，所有尺寸單位均為mm

如果您需要了解更多富士IGBT相關資訊，參考：https://fujichina.diytrade.com/sdp/2952388/2/nl-7796608/0/富士IGBT資訊.html