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●該設備用於納米級單層或多層膜、類金剛石薄膜、金屬膜、導電膜、半導體膜和非導電膜等功能薄膜的制備，可實現共濺射，直流、射頻兼容，特別適於科研院所和企業進行功能薄膜研發、教學和新產品開發，同時可在微米級粉末或顆粒上沉積薄膜進而達到表面改性的功能。是替代鐘罩式磁控濺射的理想選擇。

●主體結構：全封閉框架結構，機櫃和主機為一體式機構。

●極限真空度：≤６.６３×10－5Pa，壓升率優于國家標準。   

●真空配置：高速直聯旋片泵一台，配置尾氣處理裝置，超高分子泵一台。

●真空測量：兩路電阻規，一路電離規；電阻規和電離規均採用防爆型金屬封結真空規。

●工件架系統：行星工件盤與公轉工件盤可選，垂直濺射與共濺射兼容，可配置１個加熱台，採用PID控制可烘烤加熱到700℃。

●磁控濺射系統：配置３個Φ50mm可折疊磁控靶（可擴展至4靶機構），向上濺射成膜；靶基距可調；靶內均通入冷卻水冷卻。

●電源：2套直流電源；1套全固態射頻電源；一套200W直流偏壓電源。

●充氣系統：配置三路供氣，二路分別配置質量流量控制器，線性±0.5 % F.S，重複精度±0.2% F.S，0-5V輸出，在觸摸屏上設置流量。

●電氣控制系統：採用功能化模塊設計，匹配西門子人機界面+西門子控制單元，濺射時間可以設定並倒計時，能夠根據工藝需求自動濺射。

●特別說明：根據用戶不同的工況和工藝要求，公司愿與客戶聯合研發，共享知識產權，公司致力于工藝與設備的完美匹配，該設備為公司與電子科技大學聯合研發。