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氧化銦錫ITO靶 PVD磁控濺射靶材 1氧化銦錫ITO靶 PVD磁控濺射靶材 2
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氧化銦錫ITO靶 PVD磁控濺射靶材

型號:-
品牌:szzzna
原產地:中國
類別:冶金礦產、能源 / 冶金礦產 / 粉末冶金
標籤︰氧化銦錫ITO靶 , PVD磁控濺射靶材 , ITO靶
單價: ¥140 / 件
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產品描述

ITO 靶材

  ITO 是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜,通常有兩個性能指標:電阻率和透光率。

    在氧化物導電膜中,以摻SnIn氧化物(ITO)膜的透過率最高和導電性能最好,而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形.其中透光率達90%以上,ITO中其透光率和阻值分別由In2O3SnO2之比例來控制,通常SnO2:In2O3=1:9. ITO多用於觸控面板、觸摸屏、冷光片等。

    銦錫金屬氧化物具有很好的導電性和透明性,還可以切斷對人體有害的電子輻射,紫外線及遠紅外線。因此,噴塗在玻璃,塑料及電子顯示屏上后,在增強導電性和透明性的同時切斷對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。

電子產品生產商傳統上會使用平面濺射靶材來製造平板顯示屏,但僅有30%的 ITO在生產過程中可被利用,剩餘的靶材則由回收處理。旋轉濺射靶材的使用率則達到了85%,意味着產品一經廣氾應用,可回收的材料將大大減少。

所謂ITO(氧化銦錫)是代表性透明導電薄膜材料的一種,為現在製造FPD (平面面板顯示器) 的必要材料之一。由於是兼具透明及導電之一種原料, 在FPD 的運用上, LCD, PDP, 有機EL,TOUCH PANEL中被廣氾使用,且是必用之材料之一。還有,部分薄膜系太陽電池,LED中也被使用。一般的ITO用濺鍍法,以薄膜形式來被使用。膜的基本特性是,可視透光率90% 以上, 阻抗率0.2mΩ-cm, 耐久性也很優異,FPD用透明導電薄膜有90% 以上是使用ITO。

ITO 靶材主要性能指標

比例

In2O3/SnO2   90/10% , 配比可按用戶要求

密度

>= 7.14 g/cm3 (理論密度 7.15g/cm)

相對密度

>= 98.5%g

純度

99.99%

靶材厚度

 2-100mm

靶材利用率

≥ 82 %

基板收集效率

 60%

用功率

7-12 KW/m

ITO之用途(使用的設備)


產品圖片

氧化銦錫ITO靶 PVD磁控濺射靶材 1
圖 1
氧化銦錫ITO靶 PVD磁控濺射靶材 2
圖 2

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