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鉻Ge靶、Hf鉿靶、二氧化鉿靶HfO2 1鉻Ge靶、Hf鉿靶、二氧化鉿靶HfO2 2鉻Ge靶、Hf鉿靶、二氧化鉿靶HfO2 3
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鉻Ge靶、Hf鉿靶、二氧化鉿靶HfO2

型號:-
品牌:szzzna
原產地:中國
類別:冶金礦產、能源 / 冶金礦產 / 粉末冶金
標籤︰鉻Ge靶 , Hf鉿靶 , 二氧化鉿靶HfO2
單價: ¥150 / 件
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產品描述

 

高純金屬Ge鉻靶材 磁控濺射 PVD真空鍍膜靶材 顆粒 純度99.99%  科研實驗材料 尺寸定製 背板綁定服務

Germanium (Ge)鉻靶材具有與金屬鉻相同的性能,是一種堅硬且脆性的過渡金屬

一、Ge鉻靶材,一種在材料科學和工業應用中佔據重要地位的過渡金屬靶材。鉻以其獨特的物理和化學性質,如高硬度、良好的耐腐蝕性和高氧化抗性,成為了薄膜技術、汽車工業、光伏產業及電子元件製造等多個領域的核心材料。鉻靶材不僅繼承了金屬鉻的優異特性,還通過先進的制備工藝,實現了高純度、高密度和穩定的性能輸出,進一步拓寬了其應用範圍。我司專注研發與生產,鑄就行業精品。公司生產單材質靶材、電子束蒸發顆粒材料如下:

SINGLE ELEMENTS 單材質靶材、電子束蒸發顆粒

Aluminum (Al)

Nickel (Ni)

Antimony (Sb)

Niobium (Nb)

Arsenic (As)

Osmium (Os)

Barium (Ba)

Palladium (Pd)

Beryllium (Be)

Platinum (Pt)

Boron (B)

Rhenium (Re)

Cadmium (Cd)

Rhodium (Rh)

Carbon (C)

Rubidium (Rb)

Chromium (Cr)

Ruthenium (Ru)

Cobalt (Co)

Selenium (Se)

Copper (Cu)

Silicon (Si)

Gallium (Ga)

Silver (Ag)

Germanium (Ge)

Tantalum (Ta)

Gold (Au)

Tellurium (Te)

Hafnium (Hf)

Tin (Sn)

Indium (In)

Titanium (Ti)

Iridium (Ir)

Tungsten (W)

Iron (Fe)

Vanadium (V)

Lead (Pb)

Yttrium (Y)

Magnesium (Mg)

Zinc (Zn)

Manganese (Mn)

Zirconium (Zr)

Molybdenum (Mo)

 

 

二、材料特性解析

鉻靶材的純度是確保其性能穩定和應用效果的關鍵。高純度的鉻靶材能夠減少雜質對濺射過程的影響,保証鍍層或薄膜的純淨度和一致性。同時,鉻靶材的密度接近理論值,這意味着其內部結構緊密,有助于在濺射過程中產生更加均勻、緻密的鉻離子束,從而提升鍍層或薄膜的質量和性能。此外,鉻的熔點高達1857°C,這一特性使得鉻靶材能夠在高溫環境下保持穩定的化學和物理性質,適應各種嚴苛的工業加工條件。

三、應用領域與優勢

1汽車工業:在汽車工業中,鉻靶材被廣氾應用於製造光亮塗層和耐腐蝕塗層。鉻鍍層不僅賦予汽車部件以華麗的外觀,更重要的是,它能有效抵抗腐蝕和磨損,延長汽車的使用壽命。特別是在車輪、排氣系統、車身裝飾件等關鍵部位,鉻靶材的應用更是不可或缺。

2光伏電池製造:隨着可再生能源的快速發展,光伏電池作為太陽能利用的重要形式,其製造過程中對材料的要求也日益提高。鉻靶材因其良好的導電性和光學性能,被用於製作光伏電池的電極和反射層,有助于提高電池的光電轉換效率和穩定性。

3電子元件:在電子元件製造領域,鉻靶材同樣發揮着重要作用。它可用於製作集成電路中的金屬互連線、封裝材料以及半導體器件的接觸層等,確保電子元件的高性能和可靠性。

4物理沉積薄膜與功能塗層:鉻靶材還廣氾應用於物理沉積技術中,如真空鍍鉻,以制備各種功能塗層。這些塗層不僅具有優異的耐磨、耐腐蝕性能,還能根據需求調整顏色、光澤度等外觀特性,廣氾應用於手錶、家用電器零件、液壓缸等多種設備和零件的表面處理。

四、工業化生產優勢

鉻靶材的制備工藝相對簡單,操作方便,且產品成品率高,這為其實現工業化生產提供了有力保障。通過優化生產工藝和質量控制體系,可以穩定地生產出高質量、高一致性的鉻靶材產品,滿足市場多樣化的需求。此外,隨着科技的不斷進步和制備技術的持續創新,鉻靶材的性能和應用範圍還將不斷拓展,為更多行業帶來革命性的變化。

綜上所述,Ge鉻靶材(實際上應為鉻靶材)以其獨特的材料特性和廣氾的應用優勢,在薄膜行業、汽車工業、光伏電池製造以及電子元件等多個領域展現出了巨大的潛力和價值。隨着技術的不斷進步和市場需求的持續增長,鉻靶材必將在未來發展中發揮更加重要的作用。

 

Hf鉿靶材,一種高端且精密的磁控濺射靶材

 

一、Hf鉿靶材,作為一種高端且精密的磁控濺射靶材,在現代科研、高等教育實驗室以及工業鍍膜技術中佔據着舉足輕重的地位。其獨特的材料特性——高純度、優異的物理性能以及卓越的化學穩定性,共同構筑了Hf靶材在多個領域廣氾應用的基礎。我司專注研發與生產,鑄就行業精品。公司生產單材質靶材、電子束蒸發顆粒材料如下:

SINGLE ELEMENTS 單材質靶材、電子束蒸發顆粒

Aluminum (Al)

Nickel (Ni)

Antimony (Sb)

Niobium (Nb)

Arsenic (As)

Osmium (Os)

Barium (Ba)

Palladium (Pd)

Beryllium (Be)

Platinum (Pt)

Boron (B)

Rhenium (Re)

Cadmium (Cd)

Rhodium (Rh)

Carbon (C)

Rubidium (Rb)

Chromium (Cr)

Ruthenium (Ru)

Cobalt (Co)

Selenium (Se)

Copper (Cu)

Silicon (Si)

Gallium (Ga)

Silver (Ag)

Germanium (Ge)

Tantalum (Ta)

Gold (Au)

Tellurium (Te)

Hafnium (Hf)

Tin (Sn)

Indium (In)

Titanium (Ti)

Iridium (Ir)

Tungsten (W)

Iron (Fe)

Vanadium (V)

Lead (Pb)

Yttrium (Y)

Magnesium (Mg)

Zinc (Zn)

Manganese (Mn)

Zirconium (Zr)

Molybdenum (Mo)

 

 

二、材料特性解析

1高純度Hf鉿靶材的純度是其核心價值所在。市場上高品質的Hf靶材往往能達到99.95%甚至更高的純度標準,這意味着在制備過程中幾乎去除了所有雜質元素,從而確保了濺射過程中產生的Hf離子束的純淨度。高純度不僅提升了鍍膜或薄膜的均勻性和一致性,還減少了因雜質引起的性能下降或缺陷,為科研和工業應用提供了可靠保障。

2良好的物理性能Hf鉿作為一種過渡金屬,具有適中的密度和較高的熔點(約2233°C)。適中的密度使得Hf靶材在濺射過程中能夠保持穩定的濺射速率和濺射效率,而高熔點則確保了靶材在高溫環境下的穩定性和耐久性。這些物理性能共同賦予了Hf靶材在極端條件下工作的能力,滿足了高精度、高穩定性鍍膜工藝的需求。

3化學穩定性Hf鉿靶材在多種化學環境中均表現出良好的穩定性,不易與常見氣體或溶液發生反應。這種化學穩定性使得Hf靶材在鍍膜過程中能夠保持其原有的物理和化學性質,避免了因化學反應導致的性能變化或污染問題。

三、行業應用優勢

1科研與高校實驗室:在科研和高校實驗室中,Hf靶材因其高純度和優異的性能成為制備高質量薄膜、納米材料以及進行材料表面改性的理想選擇。科研人員可以利用Hf靶材進行各種基礎研究和應用開發,探索新材料、新技術和新工藝,推動科技進步和產業升級。

2工業鍍膜:在工業鍍膜領域,Hf靶材的應用範圍廣氾且深入。無論是半導體製造中的柵極材料、光學器件中的反射膜還是太陽能電池中的電極材料,Hf靶材都能憑借其高精度和高穩定性為產品提供卓越的性能保障。特別是在需要高純度、高均勻性和高附着力的鍍膜工藝中,Hf靶材更是不可或缺的關鍵材料。

3定製化服務:隨着市場需求的多樣化和個性化發展,Hf靶材供應商開始提供更加靈活和定製化的服務。不同規格、不同純度和不同加工方式的Hf靶材應運而生,以滿足不同客戶在不同應用場景下的特定需求。這種定製化服務不僅提升了Hf靶材的市場競爭力,還促進了其在更廣氾領域的應用和發展。

綜上所述,Hf鉿靶材以其高純度、良好的物理性能和化學穩定性在科研、高校實驗室以及工業鍍膜等領域展現出了巨大的應用潛力和價值。隨着技術的不斷進步和市場需求的持續增長,Hf靶材必將在未來發展中發揮更加重要的作用,為科技進步和產業發展貢獻更多力量。

 

Hafnium Oxide (HfO2)二氧化鉿靶材一種高端且精密的磁控濺射靶材

一、 HfO2,即二氧化鉿,是一種由鉿元素和氧元素組成的化合物,因其獨特的物理化學性質,在多個高科技領域具有廣氾的應用價值。以下是對HfO2靶材材料的特性及其在行業中的應用優勢的詳細闡述。

OXIDES 氧化物

Aluminum Oxide (Al2O3)

Magnesium Oxide (MgO)

Antimony Oxide (Sb2O3)

Zirconium-Magnesium Oxide(ZrMgO3)

Barium Titanate (BaTiO3)

Magnesium-Zirconium Oxide (MgZrO3)

Bismuth Oxide (Bi2O3)

Molybdenum Oxide (MoO3)

Bismuth Titanate (Bi2Ti4O11)

Nickel-Chrome Oxide (CrNiO4)

Cerium Oxide (CeO2)

Nickel-Cobalt Oxide(NiCoO2)

Cobalt-Chrome Oxide (CoCr2O4)

Niobium Pentoxide (Nb2O5)

Chromium Oxide (Cr2O3)

Rare Earth Garnets A3B2(SiO4)3

Chromium Oxide (Eu doped)

Rare Earth Oxides (La2O3)

Gallium Oxide (Ga2O3)

Silicon Dioxide (SiO2)

Germanium Oxide (GeO3)

Silicon Monoxide (SiO)

Hafnium Oxide (HfO2)

Tantalum Pentoxide (Ta2O5)

Indium Oxide (In2O3)

Tin Oxide (SnO2)

Indium-Tin Oxide (ITO)

Titanium Dioxide (TiO2)

Iron Oxide (Fe2O3)

Tungsten Oxide (WO3)

Lanthanum Oxide(La2O3)

Yttrium Oxide (Y2O3)

Lead Titanate(PbTiO3)

Yttrium-Aluminum Oxide (Y3Al5O12)

Lead Zirconate (ZrPbO3)

Zinc Oxide (ZnO)

Lithium Niobate (LiNbO3)

Zinc Oxide/Aluminum Oxide (Al2O3)

Lithium-Cobalt Oxide (CoLiO2)

Zirconium Oxide (ZrO2)

Lutetium-Iron Oxide (garnet) (Fe2LuO4)

 

 

二、材料特性解析

首先,從純度方面來看,HfO2靶材的純度通常高達99.99%,這為其在高端科技領域的應用提供了堅實的基礎。高純度的靶材能夠確保制備出的薄膜具有優異的電學和光學性能,減少因雜質和缺陷導致的性能下降。在半導體、光學和光伏行業中,薄膜的純度直接關係到產品的性能和可靠性,因此,高純度的HfO2靶材成為這些領域不可或缺的材料。

其次,密度是材料的一個重要物理性質。HfO2靶材的密度約為9.68g/cm³,這使得它在制備薄膜時能夠提供更好的濺射效率和覆蓋均勻性。高密度的靶材在濺射過程中能夠釋放出更多的原子或分子,從而提高薄膜的生長速率和厚度均勻性。此外,密度還影響材料的硬度和耐磨性,使得HfO2靶材在制備耐磨、耐腐蝕薄膜方面具有顯著優勢。

熔點方面,HfO2靶材的熔點高達2758℃(也有說法認為其某種晶體結構的熔點為2050℃左右),這一特性使其在高溫環境下具有出色的穩定性和耐久性。高熔點意味着HfO2靶材能夠在極端高溫條件下保持結構穩定,不易熔化或變形,這對於製造高溫部件、高溫傳感器等應用至關重要。此外,高熔點還使得HfO2靶材在制備高溫薄膜時具有獨特的優勢,能夠在高溫下保持薄膜的完整性和性能。

三、行業應用優勢

在行業中,HfO2靶材的應用優勢主要體現在以下幾個方面:

1、半導體行業:HfO2作為一種高介電常數氧化物,在半導體行業中被廣氾用作柵介質材料。由於其高介電常數和良好的熱穩定性,HfO2靶材能夠替代傳統的SiO2柵極絕緣層,解決MOSFET等傳統器件中SiO2/Si結構的發展尺寸極限問題,提高器件的性能和可靠性。

2、光學行業:HfO2靶材在光學領域的應用主要集中在制備高透光率、高折射率的薄膜上。這些薄膜被廣氾應用於LED、太陽能電池等光電器件中,能夠顯著提高器件的光吸收能力和光電轉換效率。此外,HfO2靶材還可用於制備干涉膜、增透膜等光學薄膜,提高光學器件的性能和穩定性。

3、航空航天和化工領域:由於HfO2靶材具有優異的耐高溫、耐腐蝕、高硬度等特點,使其在航空航天和化工領域具有廣氾的應用前景。在航空航天領域,HfO2靶材可用於製造高溫發動機部件、高溫渦輪葉片等高溫部件;在化工領域,HfO2靶材可用於製造高溫反應器、高溫催化劑等耐腐蝕設備。

綜上所述,HfO2靶材以其高純度、高密度和高熔點等獨特性質,在半導體、光學、航空航天和化工等多個領域展現出廣氾的應用優勢。隨着科技的不斷髮展,HfO2靶材的應用前景將會更加廣闊,為科技進步和產業發展提供有力支撐。


產品圖片

鉻Ge靶、Hf鉿靶、二氧化鉿靶HfO2 1
圖 1
鉻Ge靶、Hf鉿靶、二氧化鉿靶HfO2 2
圖 2
鉻Ge靶、Hf鉿靶、二氧化鉿靶HfO2 3
圖 3

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