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少子壽命測試儀

XH-120是一款經濟實用的硅晶片少子壽命測量儀器，控制裝置既適用於研究也適用於生產。採用准穩態光電導（QSSPC） 測量方法測量，此方法是測量硅片，摻雜物擴散，和少子壽命的最佳方法。




功能特點
■ 准穩態光電導法（QSSPC）
■ 非接觸式少子壽命測量
■ 可測單晶多晶硅片少子壽命，電阻率， 陷阱密度，發射極飽和電流密度，和隱含電壓
■ 檢測晶片加工過程中重金屬污染
■ 測量範圍：0.1μs~大於10ms
■ 可用頻譜：白光和紅外照明
■ 傳感器領域：40毫米（直徑）
■ 樣本標準直徑：40–210 mm （尺寸較小，也可測量）
■ 硅片厚度範圍：10–2000 μm （其他厚度可衡量）
■ 儀器尺寸：22.5 cm W x 28 cm D x 57 cm H


延伸閱讀

准穩態光電導衰減法（QSSPC）和微波光電導衰減法（MWPCD）的比較

QSSPC方法優越于其他測試壽命方法的一個重要之處在於它能夠在大範圍光強變化區間內對過剩載流子進行絕對測量，同時可以結合 SRH模型，得出各種復合壽命，如體內缺陷復合中心引起的少子復合壽命、表面復合速度等隨着載流子濃度的變化關係。

MWPCD方法測試的信號是一個微分信號，而QSSPC方法能夠測試少子壽命的真實值，MWPCD在加偏置光的情況下，結合理論計算可以得出少子壽命隨着過剩載流子的變化曲線，而QSSPC直接就能夠測得過剩載流子濃度，因此可以直接得出少子壽命與過剩載流子濃度的關係曲線，並且得到PN結的暗飽和電流密度；MWPCD由於使用的脈衝激光的光斑可以做到幾個到十幾個，甚至更小的尺寸，在照射過程中，只有這個尺寸範圍的區域纔會被激發產生光生載流子，也就是得到的結果是局域區域的差額壽命值，這對於壽命分布不均勻的樣品來說，結果並不具備代表性。