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產品應用：用於2-6英吋多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜生長工藝及其摻雜如PSG或BPSG等

產品特點：
◆主機為水平三管爐系統構架，獨立完成不同的工藝或相同工藝
◆工業計算機控制系統，對爐溫、進退舟、氣體流量、閘門等動作進行自動控制
◆採用懸臂送片器，操作方便、無摩擦污染等
◆關鍵部件均採用進口，確保設備的高可靠性
◆工藝管路採用進口閥門管件組成-氣密性好、耐腐蝕、無污染（管路均採用EP級電拋光管），流量控制採用進口質量流量計（MFC）
◆工作壓力閉環自動控制，提高工藝穩定性和可靠性
◆控溫精度高，溫區控溫穩定性好
◆具有斷電報警、超溫報警、極限超溫報警等多種安全保護功能
◆高質量的加熱爐體，確保恆溫區的高穩定性及長壽命

主要技術指標
◆工作溫度：300～1000℃
◆適應硅片尺寸：2～6英吋
◆裝片數量：30～100片/管
◆工藝管數量：1～3管（可選擇）
◆恆溫區長度： 760mm±1℃（熱壁式，可形成溫度梯度）
◆極限真空度： 8.0× 10 ^-1 Pa（約6.0× 10 ^-3Torr）
◆工作真空度： 10 ～ 1000Pa可調
◆澱積膜均勻性：片內≤±5%
◆控制系統：整機控制系統採用工業控制計算機（WINDOWS 系統界面，操作方便簡潔）
◆氣源系統：進口閥管件、自動軌道焊接
◆典型工藝（僅供參考）：
①氮化硅澱積：提供典型工藝氣路（具體根據用戶的工藝要求調整）
參考工藝類型： 3 NH₃+4SiH₄ → Si₃N₄+12H₂ ……
②多晶硅澱積：提供典型工藝氣路（具體根據用戶的工藝要求調整）
參考工藝類型： SiH₄ → Si+2H₂ ……
③ 二氧化硅澱積：提供典型工藝氣路（具體根據用戶的工藝要求調整）
參考工藝類型： Si(OC2H5)₄ → SiO₂+ 4C₂H₄+2H₂O （ DCS/N₂O 等） ……
PSG: TEOS-O₂ 體系， + 磷烷（亦可磷酸三甲酯、三氯氧磷）
BPSG: 在 PSG 中加入 B₂H₆ （硼烷）或硼酸三甲酯
---- 薄膜澱積工藝（相應的摻雜 - 僅供參考，具體根據客戶的情況作相應的調整）。